Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
131 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO252-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
€ 0,384
Each (On a Reel of 2000) (ex VAT)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
2000
€ 0,384
Each (On a Reel of 2000) (ex VAT)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
2000
Купете в насипно състояние
количество | Единична цена | Per Ролка |
---|---|---|
2000 - 2000 | € 0,384 | € 768,17 |
4000+ | € 0,375 | € 749,26 |
Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
131 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO252-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC