Технически документи
Спецификации
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
SiZ342ADT
Package Type
PowerPAIR 3 x 3
Pin Count
9
Maximum Drain Source Resistance
0.0094 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Number of Elements per Chip
2
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
P.O.A.
Dual N-Channel MOSFET, 33.4 A, 30 V, 9-Pin PowerPAIR 3 x 3 Vishay SiZ342ADT-T1-GE3
3000
P.O.A.
Dual N-Channel MOSFET, 33.4 A, 30 V, 9-Pin PowerPAIR 3 x 3 Vishay SiZ342ADT-T1-GE3
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
3000
Технически документи
Спецификации
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
SiZ342ADT
Package Type
PowerPAIR 3 x 3
Pin Count
9
Maximum Drain Source Resistance
0.0094 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Number of Elements per Chip
2