STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7

Номер на артикул на RS: 215-226PМарка: STMicroelectronics№ по каталога на производителя: SCT018H65G3AG
brand-logo
Преглед на всички в MOSFETs

Технически документи

Спецификации

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

75°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Страна на произход

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

Запитване за цена

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
Изберете тип опаковка

Производствен пакет (Ролка)

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1Запитване за цена
2Запитване за цена
3Запитване за цена
4Запитване за цена
5Запитване за цена
6Запитване за цена
7Запитване за цена
8Запитване за цена
9Запитване за цена
10Запитване за цена
11Запитване за цена
12Запитване за цена
13Запитване за цена
14Запитване за цена
15Запитване за цена

Запитване за цена

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

Изберете тип опаковка

Производствен пакет (Ролка)

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1Запитване за цена
2Запитване за цена
3Запитване за цена
4Запитване за цена
5Запитване за цена
6Запитване за цена
7Запитване за цена
8Запитване за цена
9Запитване за цена
10Запитване за цена
11Запитване за цена
12Запитване за цена
13Запитване за цена
14Запитване за цена
15Запитване за цена

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Технически документи

Спецификации

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

75°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Страна на произход

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more