IGBT

Технически документи
Спецификации
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
108 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
385 W
Package Type
H²PAK-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Страна на произход
China
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Запитване за цена
Производствен пакет (Ролка)
1
Запитване за цена
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Производствен пакет (Ролка)
1
Технически документи
Спецификации
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
108 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
385 W
Package Type
H²PAK-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Страна на произход
China

