Технически документи
Спецификации
Brand
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge
Може да се интересувате от

Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VМарка: Semikron Danfoss
P.O.A.Всеки (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VМарка: Semikron Danfoss
P.O.A.Each (Supplied in a Box) (ex VAT)
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
P.O.A.
Each (In a Box of 12) (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
12
P.O.A.
Each (In a Box of 12) (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
12
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
Може да се интересувате от

Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VМарка: Semikron Danfoss
P.O.A.Всеки (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VМарка: Semikron Danfoss
P.O.A.Each (Supplied in a Box) (ex VAT)
Технически документи
Спецификации
Brand
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge
Може да се интересувате от

Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VМарка: Semikron Danfoss
P.O.A.Всеки (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VМарка: Semikron Danfoss
P.O.A.Each (Supplied in a Box) (ex VAT)