Вземете 7 % отстъпка за всички онлайн поръчки след регистрация с RS.

регистрирайте се сега

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P

Номер на артикул на RS: 193-739Марка: IXYS№ по каталога на производителя: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
brand-logo
Преглед на всички в MOSFETs

Технически документи

Спецификации

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

38.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Детайли за продукта

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Информацията за складовите наличности временно не е налична.

€ 30,82

€ 30,82 Всеки (ex VAT)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P
Изберете тип опаковка

Стандарт

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1€ 30,82
2€ 60,42
3€ 90,64
4€ 120,85
5€ 146,37
6€ 175,64
7€ 204,92
8€ 234,19
9€ 263,46
10€ 292,74
11€ 322,01
12€ 351,29
13€ 380,56
14€ 409,83
15€ 439,11

€ 30,82

€ 30,82 Всеки (ex VAT)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Изберете тип опаковка

Стандарт

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1€ 30,82
2€ 60,42
3€ 90,64
4€ 120,85
5€ 146,37
6€ 175,64
7€ 204,92
8€ 234,19
9€ 263,46
10€ 292,74
11€ 322,01
12€ 351,29
13€ 380,56
14€ 409,83
15€ 439,11

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

Моля, проверете отново по-късно.

количествоЕдинична цена
1 - 1€ 30,82
2 - 4€ 30,21
5+€ 29,27

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Технически документи

Спецификации

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

38.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Детайли за продукта

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more