IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 120 A, 200 V, 3-Pin TO-247 IXFH120N20P

Номер на артикул на RS: 193-458Марка: IXYS№ по каталога на производителя: IXFH120N20PDistrelec Article No.: 30253308
brand-logo
Преглед на всички в MOSFETs

Технически документи

Спецификации

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

714 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

152 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

21.46mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Детайли за продукта

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Информацията за складовите наличности временно не е налична.

€ 13,59

€ 13,59 Всеки (ex VAT)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 120 A, 200 V, 3-Pin TO-247 IXFH120N20P
Изберете тип опаковка

Стандарт

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1€ 13,59
2€ 27,19
3€ 40,78
4€ 54,38
5€ 62,60
6€ 75,12
7€ 87,64
8€ 100,16
9€ 112,68
10€ 125,19
11€ 137,71
12€ 150,23
13€ 162,75
14€ 175,27
15€ 187,79

€ 13,59

€ 13,59 Всеки (ex VAT)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 120 A, 200 V, 3-Pin TO-247 IXFH120N20P
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Изберете тип опаковка

Стандарт

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1€ 13,59
2€ 27,19
3€ 40,78
4€ 54,38
5€ 62,60
6€ 75,12
7€ 87,64
8€ 100,16
9€ 112,68
10€ 125,19
11€ 137,71
12€ 150,23
13€ 162,75
14€ 175,27
15€ 187,79

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

Моля, проверете отново по-късно.

количествоЕдинична цена
1 - 4€ 13,59
5 - 19€ 12,52
20 - 49€ 11,85
50 - 99€ 9,12
100+€ 8,72

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Технически документи

Спецификации

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

714 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

152 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

21.46mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Детайли за продукта

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more