Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
€ 0,799
Each (On a Reel of 800) (ex VAT)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB014N04NF2SATMA1
800
€ 0,799
Each (On a Reel of 800) (ex VAT)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB014N04NF2SATMA1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
800
Купете в насипно състояние
количество | Единична цена | Per Ролка |
---|---|---|
800 - 800 | € 0,799 | € 639,32 |
1600+ | € 0,759 | € 607,40 |
Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC