Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
190 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
€ 1,867
Each (On a Reel of 800) (ex VAT)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1
800
€ 1,867
Each (On a Reel of 800) (ex VAT)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
800
Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
190 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC