Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
925 A
Maximum Drain Source Voltage
3300 V
Series
XHP
Package Type
Tray
Mounting Type
Screw Mount
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Страна на произход
Germany
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
€ 7 913,45
€ 7 913,45 Всеки (ex VAT)
Infineon XHP Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray FF2000UXTR33T2M1BPSA1
1
€ 7 913,45
€ 7 913,45 Всеки (ex VAT)
Infineon XHP Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray FF2000UXTR33T2M1BPSA1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
925 A
Maximum Drain Source Voltage
3300 V
Series
XHP
Package Type
Tray
Mounting Type
Screw Mount
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Страна на произход
Germany