Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
1.8 kA
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Series
XHP
Package Type
Tray
Mounting Type
Screw Mount
Channel Mode
Depletion
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Страна на произход
Germany
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
P.O.A.
Infineon XHP Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.8 kA, 1700 V Depletion Tray FF1800XTR17T2P5BPSA1
1
P.O.A.
Infineon XHP Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.8 kA, 1700 V Depletion Tray FF1800XTR17T2P5BPSA1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
1.8 kA
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Series
XHP
Package Type
Tray
Mounting Type
Screw Mount
Channel Mode
Depletion
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Страна на произход
Germany