3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Номер на артикул на RS: 284-808Марка: Infineon№ по каталога на производителя: DF11MR12W1M1HFB67BPSA1

Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
AG-EASY1B
Series
EasyPACK
Pin Count
23
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
3
Transistor Material
SiC
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
€ 2 552,56
€ 106,357 Each (In a Tray of 24) (ex VAT)
3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
24
€ 2 552,56
€ 106,357 Each (In a Tray of 24) (ex VAT)
3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
24
Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
AG-EASY1B
Series
EasyPACK
Pin Count
23
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
3
Transistor Material
SiC