Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
20 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
175 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Детайли за продукта
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Запитване за цена
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производствен пакет (Ролка)
10
Запитване за цена
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Производствен пакет (Ролка)
10
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
20 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
175 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Детайли за продукта


