N-channel MOSFET,IRFR110 4.3A 100V 75pcs

Номер на артикул на RS: 300-852Марка: Vishay№ по каталога на производителя: IRFR110PBF
Преглед на всички в MOSFETs

Технически документи

Спецификации

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

DPAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.39mm

Може да се интересувате от

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

Моля, проверете отново по-късно.

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

P.O.A.

N-channel MOSFET,IRFR110 4.3A 100V 75pcs

P.O.A.

N-channel MOSFET,IRFR110 4.3A 100V 75pcs
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Може да се интересувате от

Технически документи

Спецификации

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

DPAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.39mm

Може да се интересувате от