Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
187 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
€ 718,57
€ 0,898 Each (On a Reel of 800) (ex VAT)
Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N06NF2SATMA1
800
€ 718,57
€ 0,898 Each (On a Reel of 800) (ex VAT)
Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N06NF2SATMA1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
800
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
количество | Единична цена | Per Ролка |
---|---|---|
800 - 800 | € 0,898 | € 718,57 |
1600+ | € 0,853 | € 682,50 |
Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
187 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC