Transistor,MOSFET,STP22NE10L

Номер на артикул на RS: 485-7579Марка: STMicroelectronics№ по каталога на производителя: STP22NE10L
Преглед на всички в MOSFETs

Технически документи

Спецификации

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

22 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

90 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Height

15.75mm

Width

4.6mm

Може да се интересувате от

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Transistor,MOSFET,STP22NE10L

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Transistor,MOSFET,STP22NE10L

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

Може да се интересувате от

Технически документи

Спецификации

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

22 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

90 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Height

15.75mm

Width

4.6mm

Може да се интересувате от