IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 120 A, 150 V, 3-Pin TO-247AD IXFH120N15P

Номер на артикул на RS: 194-237Марка: IXYS№ по каталога на производителя: IXFH120N15PDistrelec Article No.: 30253307
brand-logo
Преглед на всички в MOSFETs

Технически документи

Спецификации

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247AD

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

16 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

600 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

21.46mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Детайли за продукта

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Информацията за складовите наличности временно не е налична.

€ 10,02

€ 10,02 Всеки (ex VAT)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 120 A, 150 V, 3-Pin TO-247AD IXFH120N15P
Изберете тип опаковка

Стандарт

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1€ 10,02
2€ 20,03
3€ 30,05
4€ 40,07
5€ 45,99
6€ 55,19
7€ 64,39
8€ 73,59
9€ 82,79
10€ 91,98
11€ 101,18
12€ 110,38
13€ 119,58
14€ 128,78
15€ 137,98

€ 10,02

€ 10,02 Всеки (ex VAT)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 120 A, 150 V, 3-Pin TO-247AD IXFH120N15P
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Изберете тип опаковка

Стандарт

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1€ 10,02
2€ 20,03
3€ 30,05
4€ 40,07
5€ 45,99
6€ 55,19
7€ 64,39
8€ 73,59
9€ 82,79
10€ 91,98
11€ 101,18
12€ 110,38
13€ 119,58
14€ 128,78
15€ 137,98

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

Моля, проверете отново по-късно.

количествоЕдинична цена
1 - 4€ 10,02
5 - 19€ 9,20
20 - 49€ 8,66
50 - 99€ 7,40
100+€ 7,09

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Технически документи

Спецификации

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247AD

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

16 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

600 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

21.46mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Детайли за продукта

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more