Вземете 7 % отстъпка за всички онлайн поръчки след регистрация с RS.

регистрирайте се сега

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14 IMYH200R024M1HXKSA1

Номер на артикул на RS: 284-864PМарка: Infineon№ по каталога на производителя: IMYH200R024M1HXKSA1
brand-logo
Преглед на всички в MOSFETs

Технически документи

Спецификации

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

2000 V

Series

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Package Type

PG-TO247-4-PLUS-NT14

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Страна на произход

Malaysia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Информацията за складовите наличности временно не е налична.

P.O.A.

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14 IMYH200R024M1HXKSA1
Изберете тип опаковка

Производствен пакет (Тръба)

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14 IMYH200R024M1HXKSA1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Изберете тип опаковка

Производствен пакет (Тръба)

Изберете тип опаковка

Стандарт - each

Предлагат се на бройка по 1.

Производство -

Предлагат се на бройка по 1.

Препоръчва се за поръчки в големи количества. Артикулите са опаковани готови за поставяне в машини, което Ви позволява да подобрите ефективността на производството.

1

Предлагат се на бройка по 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информацията за складовите наличности временно не е налична.

Моля, проверете отново по-късно.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Технически документи

Спецификации

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

2000 V

Series

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Package Type

PG-TO247-4-PLUS-NT14

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Страна на произход

Malaysia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more