Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
AIM
Package Type
PG-TO247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Страна на произход
China
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
€ 9,49
€ 9,49 Всеки (ex VAT)
Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R120M1TXKSA1
1
€ 9,49
€ 9,49 Всеки (ex VAT)
Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R120M1TXKSA1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
1
Информацията за складовите наличности временно не е налична.
Моля, проверете отново по-късно.
количество | Единична цена |
---|---|
1 - 9 | € 9,49 |
10 - 99 | € 8,54 |
100 - 499 | € 7,88 |
500 - 999 | € 7,30 |
1000+ | € 6,55 |
Технически документи
Спецификации
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
AIM
Package Type
PG-TO247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Страна на произход
China